FDB9503L-F085

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDB9503L-F085
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
Datenblätte:	FDB9503L-F085.pdf
Zustand des Lagers	41079 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von FDB9503L-F085

Artikelnummer	FDB9503L-F085	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	41079 pcs	Datenblatt	FDB9503L-F085.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D²PAK (TO-263AB)
Serie	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max)	333W (Tj)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	FDB9503L_F085 FDB9503L_F085-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8320pF @ 20V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	255nC @ 10V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 40V 110A (Tc) 333W (Tj) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	110A (Tc)

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