FDC021N30

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDC021N30
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	PT8 N 30V/20V, MOSFET
Datenblätte:	FDC021N30.pdf
Zustand des Lagers	182929 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 182929 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von FDC021N30

Artikelnummer	FDC021N30	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	PT8 N 30V/20V, MOSFET	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	182929 pcs	Datenblatt	FDC021N30.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SuperSOT™-6
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 6.1A, 10V
Verlustleistung (max)	700mW (Ta)	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6	Andere Namen	FDC021N30DKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	710pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.8nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 6.1A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6.1A (Ta)

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