FDC2612

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDC2612
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
Datenblätte:	FDC2612.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	98482 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 98482 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.386

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Spezifikationen von FDC2612

Artikelnummer	FDC2612	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	98482 pcs	Datenblatt	FDC2612.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SuperSOT™-6
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	725 mOhm @ 1.1A, 10V
Verlustleistung (max)	1.6W (Ta)	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Andere Namen	FDC2612DKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	234pF @ 100V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 200V 1.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.1A (Ta)

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