FDC365P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDC365P
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT
Datenblätte:	FDC365P.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	176530 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 176530 pcs

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Spezifikationen von FDC365P

Artikelnummer	FDC365P	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	176530 pcs	Datenblatt	FDC365P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	6-SSOT
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 4.2A, 10V
Verlustleistung (max)	1.6W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Andere Namen	FDC365PTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	705pF @ 20V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	35V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 35V 4.3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 6-SSOT	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.3A (Ta)

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