FDC5612

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDC5612
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 4.3A SSOT-6
Datenblätte:	FDC5612.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	231337 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 231337 pcs

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Spezifikationen von FDC5612

Artikelnummer	FDC5612	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 4.3A SSOT-6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	231337 pcs	Datenblatt	FDC5612.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SuperSOT™-6
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 4.3A, 10V
Verlustleistung (max)	1.6W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Andere Namen	FDC5612TR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	650pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 4.3A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.3A (Ta)

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