FDC6301N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDC6301N
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6
Datenblätte:	FDC6301N.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	174657 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 174657 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.186

10 pcs: $0.146

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Spezifikationen von FDC6301N

Artikelnummer	FDC6301N	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	174657 pcs	Datenblatt	FDC6301N.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	SuperSOT™-6
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Leistung - max	700mW	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Andere Namen	FDC6301NDKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	9.5pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Typ FET	2 N-Channel (Dual)	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 220mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	220mA

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