FDC6321C

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDC6321C
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
Datenblätte:	FDC6321C.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	411022 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 411022 pcs

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Spezifikationen von FDC6321C

Artikelnummer	FDC6321C	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	411022 pcs	Datenblatt	FDC6321C.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	SuperSOT™-6
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Leistung - max	700mW	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Andere Namen	FDC6321C-ND FDC6321CTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.3nC @ 5V
Typ FET	N and P-Channel	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array N and P-Channel 25V 680mA, 460mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	680mA, 460mA

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