FDC8602

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDC8602
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT
Datenblätte:	FDC8602.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	174014 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 174014 pcs

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Spezifikationen von FDC8602

Artikelnummer	FDC8602	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	174014 pcs	Datenblatt	FDC8602.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	SuperSOT™-6
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	350 mOhm @ 1.2A, 10V
Leistung - max	690mW	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Andere Namen	FDC8602TR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	70pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2nC @ 10V
Typ FET	2 N-Channel (Dual)	FET-Merkmal	Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.2A 690mW Surface Mount SuperSOT™-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.2A

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