FDD6696

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDD6696
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 13A D-PAK
Datenblätte:	FDD6696.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6225 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6225 pcs

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Spezifikationen von FDD6696

Artikelnummer	FDD6696	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 13A D-PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6225 pcs	Datenblatt	FDD6696.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D-PAK (TO-252)
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 13A, 10V
Verlustleistung (max)	3.8W (Ta), 52W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1715pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 5V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 13A (Ta), 50A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	13A (Ta), 50A (Tc)

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