FDD6796

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDD6796
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 25V 20A D-PAK
Datenblätte:	FDD6796.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4545 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4545 pcs

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Spezifikationen von FDD6796

Artikelnummer	FDD6796	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 20A D-PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4545 pcs	Datenblatt	FDD6796.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D-PAK (TO-252)
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.7 mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (max)	3.7W (Ta), 42W (Tc)	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	FDD6796DKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2315pF @ 13V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 25V 20A (Ta), 40A (Tc) 3.7W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	20A (Ta), 40A (Tc)

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