FDD86367

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDD86367
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CHANNEL 80V 100A TO252
Datenblätte:	FDD86367.pdf
Zustand des Lagers	38755 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 38755 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.864

10 pcs: $0.78

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500 pcs: $0.488

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Spezifikationen von FDD86367

Artikelnummer	FDD86367	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 80V 100A TO252	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	38755 pcs	Datenblatt	FDD86367.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-252, (D-Pak)
Serie	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 mOhm @ 80A, 10V
Verlustleistung (max)	227W (Tj)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Andere Namen	FDD86367OSCT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4840pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	88nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 80V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	100A (Tc)

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