FDFC3N108

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDFC3N108
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6
Datenblätte:	FDFC3N108.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	2792 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2792 pcs

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Spezifikationen von FDFC3N108

Artikelnummer	FDFC3N108	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 3A SSOT-6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	2792 pcs	Datenblatt	FDFC3N108.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	6-SSOT
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 3A, 4.5V
Verlustleistung (max)	-	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	355pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.9nC @ 4.5V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	Schottky Diode (Isolated)	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 20V 3A (Ta) Surface Mount 6-SSOT
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3A (Ta)

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