FDG327N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDG327N
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6
Datenblätte:	FDG327N.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	109638 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 109638 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.288

10 pcs: $0.252

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Spezifikationen von FDG327N

Artikelnummer	FDG327N	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	109638 pcs	Datenblatt	FDG327N.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SC-70-6
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)	420mW (Ta)	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Andere Namen	FDG327NDKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	423pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.3nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 20V 1.5A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SC-70-6	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.5A (Ta)

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