FDG6301N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDG6301N
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6
Datenblätte:	FDG6301N.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	641290 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 641290 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von FDG6301N

Artikelnummer	FDG6301N	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	641290 pcs	Datenblatt	FDG6301N.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	SC-70-6
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 220mA, 4.5V
Leistung - max	300mW	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Andere Namen	FDG6301NTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	9.5pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.4nC @ 4.5V
Typ FET	2 N-Channel (Dual)	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 220mA 300mW Surface Mount SC-70-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	220mA

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