FDI045N10A-F102

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDI045N10A-F102
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
Datenblätte:	FDI045N10A-F102.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	17240 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 17240 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.696

10 pcs: $1.515

100 pcs: $1.242

500 pcs: $1.006

1000 pcs: $0.848

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Spezifikationen von FDI045N10A-F102

Artikelnummer	FDI045N10A-F102	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	17240 pcs	Datenblatt	FDI045N10A-F102.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	I2PAK (TO-262)
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)	263W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Andere Namen	FDI045N10A_F102 FDI045N10A_F102-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5270pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	74nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)

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