FDJ127P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDJ127P
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6
Datenblätte:	FDJ127P.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4937 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4937 pcs

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Spezifikationen von FDJ127P

Artikelnummer	FDJ127P	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4937 pcs	Datenblatt	FDJ127P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SC75-6 FLMP
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 4.1A, 4.5V
Verlustleistung (max)	1.6W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SC75-6 FLMP	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	780pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V	Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V	detaillierte Beschreibung	P-Channel 20V 4.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SC75-6 FLMP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.1A (Ta)

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