FDL100N50F

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDL100N50F
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 500V 100A TO-264
Datenblätte:	FDL100N50F.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4734 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4734 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $6.61

10 pcs: $6.01

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Spezifikationen von FDL100N50F

Artikelnummer	FDL100N50F	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 100A TO-264	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4734 pcs	Datenblatt	FDL100N50F.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-264
Serie	UniFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)	2500W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-264-3, TO-264AA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	12000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	238nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 500V 100A (Tc) 2500W (Tc) Through Hole TO-264
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	100A (Tc)

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