FDM3300NZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDM3300NZ
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET
Datenblätte:	FDM3300NZ.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5951 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5951 pcs

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Spezifikationen von FDM3300NZ

Artikelnummer	FDM3300NZ	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5951 pcs	Datenblatt	FDM3300NZ.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	8-MLP (3x3)
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	23 mOhm @ 10A, 4.5V
Leistung - max	900mW	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-WFDFN Exposed Pad	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1610pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V	Typ FET	2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal	Logic Level Gate	Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10A 900mW Surface Mount 8-MLP (3x3)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	10A

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