FDMB3800N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDMB3800N
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET
Datenblätte:	FDMB3800N.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	93015 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 93015 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.40

10 pcs: $0.349

100 pcs: $0.27

500 pcs: $0.20

1000 pcs: $0.16

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Spezifikationen von FDMB3800N

Artikelnummer	FDMB3800N	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	93015 pcs	Datenblatt	FDMB3800N.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 4.8A, 10V
Leistung - max	750mW	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerWDFN	Andere Namen	FDMB3800NCT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	465pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.6nC @ 5V
Typ FET	2 N-Channel (Dual)	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.8A 750mW Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.8A

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