FDMD8560L

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDMD8560L
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
Datenblätte:	FDMD8560L.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	45358 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 45358 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

3000 pcs: $0.648

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Spezifikationen von FDMD8560L

Artikelnummer	FDMD8560L	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	45358 pcs	Datenblatt	FDMD8560L.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	8-Power 5x6
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2 mOhm @ 22A, 10V
Leistung - max	2.2W	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerWDFN	Andere Namen	FDMD8560LTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	11130pF @ 30V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	128nC @ 10V
Typ FET	2 N-Channel (Half Bridge)	FET-Merkmal	Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 22A, 93A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	22A, 93A

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