FDME905PT

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDME905PT
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 12V 6-UMLP
Datenblätte:	FDME905PT.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	92717 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 92717 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.348

10 pcs: $0.303

100 pcs: $0.234

500 pcs: $0.173

1000 pcs: $0.138

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Spezifikationen von FDME905PT

Artikelnummer	FDME905PT	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 12V 6-UMLP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	92717 pcs	Datenblatt	FDME905PT.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	MicroFet 1.6x1.6 Thin
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 8A, 4.5V
Verlustleistung (max)	2.1W (Ta)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	6-PowerUFDFN	Andere Namen	FDME905PTFSCT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2315pF @ 6V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 4.5V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	12V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 12V 8A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8A (Ta)

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