FDMS2D4N03S

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDMS2D4N03S
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 163A 8PQFN
Datenblätte:	FDMS2D4N03S.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	143310 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 143310 pcs

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Spezifikationen von FDMS2D4N03S

Artikelnummer	FDMS2D4N03S	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 163A 8PQFN	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	143310 pcs	Datenblatt	FDMS2D4N03S.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-PQFN (5x6), Power56
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 mOhm @ 28A, 10V
Verlustleistung (max)	75W (Tc)	Verpackung / Gehäuse	8-PowerSMD, Flat Leads
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6540pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	88nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 163A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	163A (Tc)

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