FDMS3615S

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDMS3615S
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A 8-PQFN
Datenblätte:	FDMS3615S.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	137502 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 137502 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von FDMS3615S

Artikelnummer	FDMS3615S	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 25V 16A/18A 8-PQFN	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	137502 pcs	Datenblatt	FDMS3615S.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	Power56
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.8 mOhm @ 16A, 10V
Leistung - max	1W	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN	Andere Namen	FDMS3615S-ND FDMS3615STR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1765pF @ 13V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
Typ FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 16A, 18A 1W Surface Mount Power56
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	16A, 18A

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