FDMS6681Z

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDMS6681Z
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56
Datenblätte:	FDMS6681Z.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	40110 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 40110 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.773

10 pcs: $0.699

100 pcs: $0.562

500 pcs: $0.437

1000 pcs: $0.362

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Spezifikationen von FDMS6681Z

Artikelnummer	FDMS6681Z	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	40110 pcs	Datenblatt	FDMS6681Z.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-PQFN (5x6)
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.2 mOhm @ 22.1A, 10V
Verlustleistung (max)	2.5W (Ta), 73W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN	Andere Namen	FDMS6681ZCT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	10380pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	241nC @ 10V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 30V 21.1A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	21.1A (Ta), 49A (Tc)

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