FDMS8050ET30

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDMS8050ET30
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN
Datenblätte:	FDMS8050ET30.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	54294 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 54294 pcs

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Spezifikationen von FDMS8050ET30

Artikelnummer	FDMS8050ET30	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	54294 pcs	Datenblatt	FDMS8050ET30.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 750µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	Power56
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	0.65 mOhm @ 55A, 10V
Verlustleistung (max)	3.3W (Ta), 180W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN	Andere Namen	FDMS8050ET30TR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	22610pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	285nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 55A (Ta), 423A (Tc) 3.3W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount Power56	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	55A (Ta), 423A (Tc)

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