FDMS86150ET100

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDMS86150ET100
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
Datenblätte:	FDMS86150ET100.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	18834 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 18834 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $1.661

10 pcs: $1.482

100 pcs: $1.215

500 pcs: $0.984

1000 pcs: $0.83

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Spezifikationen von FDMS86150ET100

Artikelnummer	FDMS86150ET100	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 16A POWER56	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	18834 pcs	Datenblatt	FDMS86150ET100.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	Power56
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.85 mOhm @ 16A, 10V
Verlustleistung (max)	3.3W (Ta), 187W (Tc)	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN	Andere Namen	FDMS86150ET100DKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4065pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	62nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 100V 16A (Ta), 128A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount Power56	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	16A (Ta), 128A (Tc)

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