FDMS86255ET150

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDMS86255ET150
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 150V POWER56
Datenblätte:	FDMS86255ET150.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	40944 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 40944 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von FDMS86255ET150

Artikelnummer	FDMS86255ET150	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V POWER56	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	40944 pcs	Datenblatt	FDMS86255ET150.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	Power56
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.4 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)	3.3W (Ta), 136W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerTDFN	Andere Namen	FDMS86255ET150TR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4480pF @ 75V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	63nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	150V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 150V 10A (Ta), 63A (Tc) 3.3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount Power56	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	10A (Ta), 63A (Tc)

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