FDN5618P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDN5618P
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3
Datenblätte:	1.FDN5618P.pdf 2.FDN5618P.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	142325 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 142325 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.221

10 pcs: $0.186

100 pcs: $0.139

500 pcs: $0.102

1000 pcs: $0.079

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Spezifikationen von FDN5618P

Artikelnummer	FDN5618P	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	142325 pcs	Datenblatt	1.FDN5618P.pdf 2.FDN5618P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SuperSOT-3
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 1.25A, 10V
Verlustleistung (max)	500mW (Ta)	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Andere Namen	FDN5618PDKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	430pF @ 30V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.8nC @ 10V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 60V 1.25A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	1.25A (Ta)

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