FDP14AN06LA0

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDP14AN06LA0
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V 67A TO-220AB
Datenblätte:	1.FDP14AN06LA0.pdf 2.FDP14AN06LA0.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5766 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5766 pcs

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Spezifikationen von FDP14AN06LA0

Artikelnummer	FDP14AN06LA0	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 67A TO-220AB	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5766 pcs	Datenblatt	1.FDP14AN06LA0.pdf 2.FDP14AN06LA0.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220AB
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.6 mOhm @ 67A, 10V
Verlustleistung (max)	125W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 5V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 10A (Ta), 67A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	10A (Ta), 67A (Tc)

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