FDP39N20

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDP39N20
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 200V 39A TO-220
Datenblätte:	1.FDP39N20.pdf 2.FDP39N20.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	44714 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 44714 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.702

10 pcs: $0.635

100 pcs: $0.51

500 pcs: $0.397

1000 pcs: $0.329

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Spezifikationen von FDP39N20

Artikelnummer	FDP39N20	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 39A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	44714 pcs	Datenblatt	1.FDP39N20.pdf 2.FDP39N20.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220AB
Serie	UniFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	66 mOhm @ 19.5A, 10V
Verlustleistung (max)	251W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2130pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 200V 39A (Tc) 251W (Tc) Through Hole TO-220AB
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	39A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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DHL	www.DHL.com	Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab.
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