FDP79N15

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDP79N15
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 150V 79A TO-220
Datenblätte:	1.FDP79N15.pdf 2.FDP79N15.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5943 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5943 pcs

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Spezifikationen von FDP79N15

Artikelnummer	FDP79N15	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 79A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5943 pcs	Datenblatt	1.FDP79N15.pdf 2.FDP79N15.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220-3
Serie	UniFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 39.5A, 10V
Verlustleistung (max)	463W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3410pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	73nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 150V 79A (Tc) 463W (Tc) Through Hole TO-220-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	79A (Tc)

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