FDP8870-F085

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDP8870-F085
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 156A TO-220
Datenblätte:	1.FDP8870-F085.pdf 2.FDP8870-F085.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	35056 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 35056 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.962

10 pcs: $0.869

400 pcs: $0.621

800 pcs: $0.49

1200 pcs: $0.45

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Spezifikationen von FDP8870-F085

Artikelnummer	FDP8870-F085	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 156A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	35056 pcs	Datenblatt	1.FDP8870-F085.pdf 2.FDP8870-F085.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220AB
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.1 mOhm @ 35A, 10V
Verlustleistung (max)	160W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Andere Namen	FDP8870_F085 FDP8870_F085-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5200pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	132nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 19A (Ta), 156A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	19A (Ta), 156A (Tc)

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Nach dem Verkauf
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★ Lieferzeit dauert 2-4 Tage in die meisten Länder der Welt durch DHL / UPS / FEDEX / TNT.

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