FDPF18N20FT-G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDPF18N20FT-G
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N CH 200V 18A TO220F
Datenblätte:	FDPF18N20FT-G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	41133 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 41133 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.801

10 pcs: $0.722

100 pcs: $0.58

500 pcs: $0.451

1000 pcs: $0.374

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Spezifikationen von FDPF18N20FT-G

Artikelnummer	FDPF18N20FT-G	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N CH 200V 18A TO220F	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	41133 pcs	Datenblatt	FDPF18N20FT-G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220F-3
Serie	UniFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 9A, 10V
Verlustleistung (max)	35W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3 Full Pack	Andere Namen	FDPF18N20FT_G FDPF18N20FT_G-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1180pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 200V 18A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	18A (Tc)

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