FDS4672A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDS4672A
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC
Datenblätte:	FDS4672A.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	139715 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 139715 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von FDS4672A

Artikelnummer	FDS4672A	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 11A 8SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	139715 pcs	Datenblatt	FDS4672A.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 11A, 4.5V
Verlustleistung (max)	2.5W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	FDS4672A-ND FDS4672ATR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4766pF @ 20V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 40V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	11A (Ta)

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