FDS4935BZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDS4935BZ
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Datenblätte:	FDS4935BZ.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	84319 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 84319 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.362

10 pcs: $0.319

100 pcs: $0.252

500 pcs: $0.195

1000 pcs: $0.154

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Spezifikationen von FDS4935BZ

Artikelnummer	FDS4935BZ	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	84319 pcs	Datenblatt	FDS4935BZ.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 6.9A, 10V
Leistung - max	900mW	Verpackung	Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	FDS4935BZDKR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1360pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40nC @ 10V
Typ FET	2 P-Channel (Dual)	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6.9A

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