FDS6894A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDS6894A
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Datenblätte:	FDS6894A.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4311 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4311 pcs

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Spezifikationen von FDS6894A

Artikelnummer	FDS6894A	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4311 pcs	Datenblatt	FDS6894A.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	17 mOhm @ 8A, 4.5V
Leistung - max	900mW	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1676pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 4.5V	Typ FET	2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal	Logic Level Gate	Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8A 900mW Surface Mount 8-SO	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8A

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