FDS6912

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDS6912
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Datenblätte:	FDS6912.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	120424 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 120424 pcs

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Spezifikationen von FDS6912

Artikelnummer	FDS6912	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	120424 pcs	Datenblatt	FDS6912.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 6A, 10V
Leistung - max	900mW	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	FDS6912-ND FDS6912TR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	740pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 5V
Typ FET	2 N-Channel (Dual)	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6A

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