FDS6982S

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDS6982S
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC
Datenblätte:	FDS6982S.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6090 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6090 pcs

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Spezifikationen von FDS6982S

Artikelnummer	FDS6982S	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6090 pcs	Datenblatt	FDS6982S.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	PowerTrench®, SyncFET™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 6.3A, 10V
Leistung - max	900mW	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2040pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 5V	Typ FET	2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal	Logic Level Gate	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.3A, 8.6A 900mW Surface Mount 8-SO	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6.3A, 8.6A

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