FDS8962C

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDS8962C
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
Datenblätte:	FDS8962C.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3765 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3765 pcs

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Spezifikationen von FDS8962C

Artikelnummer	FDS8962C	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3765 pcs	Datenblatt	FDS8962C.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	8-SO
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 7A, 10V
Leistung - max	900mW	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Andere Namen	FDS8962CCT
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	575pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Typ FET	N and P-Channel	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5A 900mW Surface Mount 8-SO
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	7A, 5A

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