FDU8780

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDU8780
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK
Datenblätte:	FDU8780.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6887 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6887 pcs

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Spezifikationen von FDU8780

Artikelnummer	FDU8780	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 35A I-PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6887 pcs	Datenblatt	FDU8780.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-251AA
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 35A, 10V
Verlustleistung (max)	50W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1440pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	25V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 25V 35A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251AA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	35A (Tc)

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