FDW2501N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDW2501N
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP
Datenblätte:	FDW2501N.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6929 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6929 pcs

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Spezifikationen von FDW2501N

Artikelnummer	FDW2501N	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-TSSOP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6929 pcs	Datenblatt	FDW2501N.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	8-TSSOP
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 6A, 4.5V
Leistung - max	600mW	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1290pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 4.5V	Typ FET	2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal	Logic Level Gate	Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6A 600mW Surface Mount 8-TSSOP	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	6A

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