FDY100PZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDY100PZ
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 20V 350MA SC-89
Datenblätte:	FDY100PZ.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	850555 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 850555 pcs

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Spezifikationen von FDY100PZ

Artikelnummer	FDY100PZ	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 350MA SC-89	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	850555 pcs	Datenblatt	FDY100PZ.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SC-89-3
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V
Verlustleistung (max)	625mW (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	SC-89, SOT-490	Andere Namen	FDY100PZTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	100pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.4nC @ 4.5V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 20V 350mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SC-89-3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	350mA (Ta)

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