FDZ193P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FDZ193P
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP
Datenblätte:	FDZ193P.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	450765 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 450765 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von FDZ193P

Artikelnummer	FDZ193P	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	450765 pcs	Datenblatt	FDZ193P.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	6-WLCSP
Serie	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 1A, 4.5V
Verlustleistung (max)	1.9W (Ta)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	6-UFBGA, WLCSP	Andere Namen	FDZ193PTR
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Typ FET	P-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.7V, 4.5V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V
detaillierte Beschreibung	P-Channel 20V 3A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-WLCSP	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3A (Ta)

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