FGH60N6S2

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FGH60N6S2
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	IGBT 600V 75A 625W TO247
Datenblätte:	FGH60N6S2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4017 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4017 pcs

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Spezifikationen von FGH60N6S2

Artikelnummer	FGH60N6S2	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	IGBT 600V 75A 625W TO247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4017 pcs	Datenblatt	FGH60N6S2.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	600V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 40A
Testbedingung	390V, 40A, 3 Ohm, 15V	Td (ein / aus) bei 25 ° C	18ns/70ns
Schaltenergie	400µJ (on), 310µJ (off)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247
Serie	-	Leistung - max	625W
Verpackung	Tube	Verpackung / Gehäuse	TO-247-3
Andere Namen	FGH60N6S2_NL FGH60N6S2_NL-ND	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabetyp	Standard
IGBT-Typ	-	Gate-Ladung	140nC
detaillierte Beschreibung	IGBT 600V 75A 625W Through Hole TO-247	Strom - Collector Pulsed (Icm)	320A
Strom - Kollektor (Ic) (max)	75A

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