FJN3302RTA

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FJN3302RTA
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS PREBIAS NPN 0.3W TO92-3
Datenblätte:	FJN3302RTA.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	342900 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 342900 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.105

10 pcs: $0.087

100 pcs: $0.046

500 pcs: $0.03

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Spezifikationen von FJN3302RTA

Artikelnummer	FJN3302RTA	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 0.3W TO92-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	342900 pcs	Datenblatt	FJN3302RTA.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ	NPN - Pre-Biased	Supplier Device-Gehäuse	TO-92-3
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	10 kOhms	Leistung - max	300mW
Verpackung	Cut Tape (CT)	Verpackung / Gehäuse	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Andere Namen	FJN3302RTACT	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	250MHz	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	30 @ 5mA, 5V	Strom - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA	Basisteilenummer	FJN3302

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