FJN3307RTA

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FJN3307RTA
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Datenblätte:	FJN3307RTA.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3045 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3045 pcs

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Spezifikationen von FJN3307RTA

Artikelnummer	FJN3307RTA	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3045 pcs	Datenblatt	FJN3307RTA.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ	NPN - Pre-Biased	Supplier Device-Gehäuse	TO-92-3
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	22 kOhms	Leistung - max	300mW
Verpackung	Tape & Box (TB)	Verpackung / Gehäuse	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	250MHz
detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	68 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA

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