FJV3102RMTF

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FJV3102RMTF
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
Datenblätte:	1.FJV3102RMTF.pdf 2.FJV3102RMTF.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	415322 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 415322 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.081

10 pcs: $0.066

100 pcs: $0.035

500 pcs: $0.023

1000 pcs: $0.016

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Spezifikationen von FJV3102RMTF

Artikelnummer	FJV3102RMTF	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	415322 pcs	Datenblatt	1.FJV3102RMTF.pdf 2.FJV3102RMTF.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ	NPN - Pre-Biased	Supplier Device-Gehäuse	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	10 kOhms	Leistung - max	200mW
Verpackung	Original-Reel®	Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen	FJV3102RMTFDKR	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	250MHz	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	30 @ 5mA, 5V	Strom - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA	Basisteilenummer	FJV3102

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