FJV3115RMTF

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FJV3115RMTF
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Datenblätte:	FJV3115RMTF.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3339 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3339 pcs

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Spezifikationen von FJV3115RMTF

Artikelnummer	FJV3115RMTF	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3339 pcs	Datenblatt	FJV3115RMTF.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ	NPN - Pre-Biased	Supplier Device-Gehäuse	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	2.2 kOhms	Leistung - max	200mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen	FJV3115RMTF-ND FJV3115RMTFTR	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	250MHz	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	33 @ 10mA, 5V	Strom - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA	Basisteilenummer	FJV3115

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