FJX3015RTF

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FJX3015RTF
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
Datenblätte:	FJX3015RTF.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6453 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6453 pcs

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Spezifikationen von FJX3015RTF

Artikelnummer	FJX3015RTF	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6453 pcs	Datenblatt	FJX3015RTF.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ	NPN - Pre-Biased	Supplier Device-Gehäuse	SOT-323
Serie	-	Widerstand - Emitterbasis (R2)	10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	2.2 kOhms	Leistung - max	200mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	SC-70, SOT-323
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Frequenz - Übergang	250MHz
detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	33 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)	Strom - Kollektor (Ic) (max)	100mA

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