FQA7N80C

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Produktübersicht

Artikelnummer:	FQA7N80C
Hersteller / Marke:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P
Datenblätte:	FQA7N80C.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6609 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6609 pcs

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Spezifikationen von FQA7N80C

Artikelnummer	FQA7N80C	Hersteller	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6609 pcs	Datenblatt	FQA7N80C.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-3P
Serie	QFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Verlustleistung (max)	198W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-3P-3, SC-65-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1680pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 800V 7A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-3P
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	7A (Tc)

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